MG100Q2YS42 MÓDULO, Es un número de modelo de un transistor de potencia fabricado por Toshiba. Es un IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de canal N de silicio diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. El transistor tiene un voltaje colector-emisor máximo de 1200 V, una corriente continua de colector de 100 A y una disipación de potencia máxima de 550 W. Se usa comúnmente en aplicaciones tales como unidades de motor, máquinas de soldadura y fuentes de alimentación.
MG100Q2YS42 MÓDULO
S/1.00
MG100Q2YS42 MÓDULO, IGBT DE CANAL N (CONMUTACIÓN DE ALTA POTENCIA, APLICACIONES DE CONTROL DE MOTOR)

