NTMD6N03R2G | ON SEMICONDUCTOR
S/1.00
DESCRIPCIÓN: MOSFET DE POTENCIA (SMD; SOIC-8) DOBLE CANAL N; VOLTAJE: 30V; CORRIENTE: 6A; -55 °C A +150 °C.
| Fabricante: | ON SEMICONDUCTOR |
| Modelo: | NTMD6N03R2G |
| Tipo: | MOSFET de potencia, doble canal N |
| Voltaje de drenaje: | 30 V |
| Corriente de drenaje: | 6 A por canal |
| Resistencia: | 0.024 Ω |
| Voltaje de compuerta: | 2.5 V máx. a 250 µA |
| Carga de compuerta: | 30 nC máx. a VGS = 10 V |
| Capacitancia de entrada: | 950 pF máx. a VDS = 24 V |
| Potencia: | 1.29 W |
| Temperatura: | -55 °C a +150 °C |
| Encapsulado: | SOIC-8 |
| Montaje: | SMD, Superficial |
| Estado: | Nuevo, Original |
HOJA TÉCNICA / DATASHEET
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