QM10HB-2H Módulo Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia aislado que se utiliza como controlador de base para módulos de transistores de alta tensión.
El QM10HB-2H tiene una corriente colector-emisor máxima de 10A y una tensión colector-emisor máxima de 1000V.
QM10HB-2H Módulo Transistor
S/1.00
QM10HB-2H Módulo Transistor bipolar de unión (BJT) de potencia aislado que se utiliza como controlador de base para módulos de transistores de alta tensión.
El QM10HB-2H tiene una corriente colector-emisor máxima de 10A y una tensión colector-emisor máxima de 1000V.


